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近日，苏州汉骅半导体有限公司基于8寸硅基氮化镓（GaN）LED外延时刻与自主无损去硅工艺，在“特出摩尔 GaN Plus”平台上，告捷建成与8寸CMOS半导体工艺高度兼容的Micro-LED范例工艺量产平台，全面清晰氮化镓外延、无损去硅、薄膜集成至CMOS工艺、微露馅器件全经过链路，冲破Micro-LED产业化中枢时刻瓶颈，为AR/VR等近眼露馅范畴化诈欺奠定要津基础。
氮化镓当作第三代半导体中枢材料，是Micro-LED微露馅时刻的要津复旧。但氮化镓发光单位与硅基CMOS运转电路的高效集成繁难，长期制约AR/VR等近眼露馅家具交易化进度，其本色是不同材料体系间的三维异构集成时刻壁垒。
汉骅半导体这次建成的8寸范例工艺平台，中枢冲破在于买通材料与工艺的“异构集成”通说念。依托自主研发的晶圆级无损去硅时刻，团队收尾8寸硅片上氮化镓薄膜圆善剥离与精确移动，工艺窗口全面临标主流8寸CMOS产线范例，收尾发光阵列与运转芯片的晶圆级键合及协同制造。早在2025年，公司已收尾3.75微米间距夹杂键合量产，瑞金资本键合制品率超95%，为高密度微露馅阵列范畴化制造提供中枢工艺保险。
现在，该平台已具备红、蓝、绿多波长发光结构工艺才能，可复旧超高像素密度微露馅阵列制备，满足近眼露馅、光互联、数字车灯、AI电源惩处等前沿诈欺中枢器件需求。平台面向产业洞开代工与议论建筑职业，提供类半导体工艺打算套件（PDK）范例化接口，笼罩打算、考据至量产全技艺协同蜕变。
当作长三角国创中心首个“拨投并吞”样式支抓的紧要神气，汉骅半导体自2017年深耕异质异构集成范畴，领有国内独一“GaN Plus 3DIC”全经过工艺平台。这次8寸硅基氮化镓Micro-LED范例工艺平台落地，不仅为国内化合物半导体与集成电路异质集成提供可复制时刻旅途，更契合后摩尔期间系统级集成发展标的，为下一代东说念主机交互末端要津部件国产化筑牢工艺根基。
将来，该平台将抓续向更高像素密度、更小像素尺寸迭代，探索多波长外延与色疗养交融的全色决策联华证券，进一步鼓舞Micro-LED在消耗电子、车载露馅、特种诈欺等范畴范畴化落地。
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